第(di)一，由于UPS測(ce)量(liang)中(zhong)光(guang)激(ji)發電子的(de)(de)動(dong)能(neng)在0-20eV范(fan)圍，在此能(neng)量(liang)區間的(de)(de)電子逃逸(yi)深度較小(xiao)，且隨(sui)能(neng)量(liang)急劇變化(hua)，材料(liao)表(biao)面(mian)的(de)(de)導電性、污染(ran)程(cheng)度和粗糙度等因(yin)素會對測(ce)量(liang)結(jie)果(guo)產生較大影(ying)(ying)響，輕則導致(zhi)(zhi)譜(pu)圖的(de)(de)峰位移(yi)動(dong)和峰形變化(hua)，重(zhong)則導致(zhi)(zhi)無信號。UPS適用于分析(xi)表(biao)面(mian)均勻潔凈(jing)的(de)(de)導體(ti)以及導電性較好的(de)(de)半導體(ti)薄膜材料(liao)。對于合成的(de)(de)粉末樣(yang)(yang)品(pin)，影(ying)(ying)響因(yin)素較多，UPS測(ce)試(shi)存在一定(ding)風險 ； 第(di)二，UPS測(ce)試(shi)過程(cheng)中(zhong)，紫外光(guang)的(de)(de)掃描范(fan)圍僅(jin)為樣(yang)(yang)品(pin)中(zhong)的(de)(de)某個微小(xiao)區域(yu)，如果(guo)樣(yang)(yang)品(pin)制備不均勻，或(huo)者測(ce)試(shi)區域(yu)恰好條件(jian)不佳(jia)，也可能(neng)會影(ying)(ying)響測(ce)試(shi)結(jie)果(guo)；

測(ce)試老師(shi)給出的(de)(de)只(zhi)(zhi)是分析(xi)(xi)結(jie)果(guo)僅供參(can)考，因(yin)為測(ce)試老師(shi)不知道每個樣品具(ju)體是什么(me)材料，只(zhi)(zhi)能(neng)根(gen)據自己的(de)(de)習慣(guan)和經(jing)驗大(da)致作圖分析(xi)(xi)，所以我們一(yi)般還需要根(gen)據對(dui)樣品性質的(de)(de)了解，對(dui)數據分析(xi)(xi)結(jie)果(guo)微調甚至大(da)的(de)(de)調整。

因(yin)UPS采集信息較淺，若樣品(pin)表面(mian)(mian)容易變(bian)質， 可(ke)清(qing)潔掉表面(mian)(mian)材料（一般10nm內(nei)），測試清(qing)潔后的樣品(pin)表面(mian)(mian)

①無(wu)偏壓模(mo)式：驗證(zheng)樣品導電性、測定價(jia)帶頂；

②偏(pian)壓模式：測定功函數、價帶頂，驗(yan)證半導體類型（P型/N型）。

未加偏壓：看低結合能一側（費米邊），做切線與右側直線（平行于X軸）的交點，即為價帶頂。

示例：

若數據為施加偏壓后的，例如，加-5V偏壓，則需要先校正，看高結合能一側（二次電子截止邊），做切線與左側直線（平行于X軸）的交點，用21.22減去交點的值，即為功函數。