| 光催化降解 | 多臺 | 取樣：50 元/次；測試(shi)時間：2h 內(nei)，100 元/樣(yang)；超過 2h，每(mei)小時額(e)外加收 50；樣品不支持回收(shou) | 可以做不同時長，不同波長，具體需要溝通 |
項目簡(jian)介
光催化(hua)項目介紹
光催化降解是利用輻照、光催化劑在反應體系中產生的活性極強的自由基，再通過自由基與有機污染物之間的加合、取代、電子轉移等過程將污染物全部降解為無機物的過程。
通過光催化降解測試，可以了解在一定條件下，光催化劑對污染物的降解情況。
光催化材料一般分為以下幾類：
1、金屬氧化物。比如二氧化鈦、三氧化二鐵、氧化鋅、氧化銅等，其中二氧化鈦化學性質穩定、催化活性高、價格低廉等優點，是研究最多的光催化劑；
2、金屬硫化物。CdS 和 MoS2是硫化物在光催化領域應用中的兩種代表性材料；
3、Bi基光催化劑。鉍基催化劑中，鹵氧化鉍材料具有獨特的層狀結構。當 Br 4p 上電子受光激發躍遷至 Bi 6p 軌道時，層狀結構之間形成的內建電場有助于電子空穴對的有效分離，延長光生載流子的壽命，有助于提高其光催化活性。
4、Ag基光催化劑。Ag基光催化劑因為可見光響應性能而受到廣泛研究，但穩定性差、易被光腐蝕。目前對銀基光催化劑的研究多集中在修飾改性上，尤其以半導體復合居多。
光催化機理
1、當入射光能量 hv 不小于禁帶寬度 Eg 時，價帶上電子 e- 吸收光能躍遷至導帶，同時價帶上產生空穴 h+；
2、產生的 e-、h+ 在電場或者擴散作用下分別遷移至半導體表面；
3、具有還原能力的 e- 與具有氧化能力的 h+ 與吸附在半導體表面上的物質發生氧化還原反應，比如污染物降解、水分解制氫氣等等，以最常見的 TiO2 為例，光催化原理如下圖（圖片(pian)來源于網(wang)絡）所示：
光催化降解主要是通過控制光反應的條件，利用光能來激發催化劑，促進廢水、空氣等中的有害物質的分解和處理。實驗簡易示意圖如下所示（圖片來源于網絡）：
