| X 射線光電子能譜儀(XPS) | Thermo Kalpha;Thermo ESCALAB 250XI; Axis Ultra DLD Kratos AXIS SUPRA; PHI-5000versaprobeIII | 手套(tao)箱:一批(pi) 600 元(8 個樣(yang)品為(wei)一批(pi)) 只測(ce)價帶譜:90 精細譜:3 個元素內 90,超過后(hou) 30 元(yuan)/元素 俄歇譜:50 元/元素 價(jia)帶譜:50 元 刻蝕: 氬離(li)子刻(ke)蝕:10nm 內 100 元,超過(guo)后(hou)每增加10nm+40 元; 團簇刻蝕:10nm 內 150 元,超(chao)過后(hou)每增(zeng)加 10nm+50 元; 角分辨:每角度(du) 100 元(yuan) mapping:800 元/h | 可做深度剖析,俄歇譜,價帶譜,微區、原位 |
項目簡(jian)介
XPS, 全稱為X-ray Photoelectron Spectroscopy(X射線光電子能譜), 是一種使用電子譜儀測量X-射線光子輻照時樣品表面所發射出的光電子和俄歇電子能量分布的方法。XPS可用于定性分析以及半定量分析, 一般從XPS圖譜的峰位和峰形獲得樣品表面元素成分、化學態和分子結構等信息,從峰強可獲得樣品表面元素含量或濃度。
一般有以下幾個方面的應用:
1、元素組成分析
對于未知樣品,首先進行全譜掃描,初步判斷樣品表面的元素組成;然后根據全譜掃描確定目標元素的窄區掃描能量范圍,對其進行高分辨細掃描,從而獲得其準確的結合能位置。
2、化學態分析
XPS 可通過測定內層電子的化學位移來推知原子的結合狀態和電子分布狀態等信息。
3、半定量分析
XPS 不僅可用于定性分析(元素組成及化學態分析),由于其峰強度與元素含量之間具有一定的相關性,通過測量光電子峰的強度還可以對元素進行定量分析,目前而言只將 XPS 用于元素的半定量分析。
4、深度剖析
通過氬離子槍濺射、機械切削以及改變掠射角等方式可以實現 XPS 的深度剖析,從而對一定深度范圍內的薄層剖面進行元素組成和化學態分析,可提供材料的均勻性及元素的空間分布等信息。


