| 透射電子顯微鏡TEM | FEI Tecnai F20, TF30,JEOL JEM 2100F,FEI Talos F200X 等 | 銅網制樣:50 元/樣,鉬網:100 元(yuan)/樣。 非磁樣品:形貌(高分辨)300 元/樣,點掃 100 元,線掃 200元,mapping300 元,衍射 100 元,STEM 300 元;弱磁樣品(磁性樣品不接受自己制樣):形貌(高分辨)400 元/樣,點掃 100 元,線掃 200 元,mapping400 元,衍射 100元,STEM 400 元;強磁樣品:形貌(高分辨)600 元/樣,點掃 100 元,線掃 300元,mapping400 元,衍射 100 元,STEM 400 元各地價格略有差異,以當地當前官網為準 | 可做粉末、塊體的磁性和非磁性樣品,塊體可以制樣,可以做衍射、能譜、mapping、STEM,可以做電子能量損失譜(EELS),可做云視頻或現場。 |
項(xiang)目簡介
測試目的及應用場景
4、研究(jiu)材料(liao)(liao)的界(jie)面(mian)和界(jie)面(mian)反應:TEM可以觀察材料(liao)(liao)的界(jie)面(mian)結構(gou)和界(jie)面(mian)反應,包括晶界(jie)、相界(jie)和界(jie)面(mian)反應產物等(deng)。
測試原理

測試步驟
以日本JEOL JEM-F200測試為例,一般(ban)測試步驟如下所示(僅供參考):
1、制樣
測(ce)試前將樣(yang)品(pin)制備到載(zai)網(wang)上。粉末類樣(yang)品(pin)一般會加(jia)入(ru)分(fen)散(san)劑制成一定濃度(du)的(de)分(fen)散(san)液(ye),液(ye)體樣(yang)品(pin)需(xu)稀釋到適當(dang)的(de)濃度(du),然(ran)(ran)后根據具體情況搖勻或(huo)超聲分(fen)散(san),將適量分(fen)散(san)液(ye)滴加(jia)在載(zai)網(wang)上,自然(ran)(ran)晾干(gan)或(huo)烘干(gan)。較大(da)的(de)薄(bo)(bo)膜、固體樣(yang)品(pin)以及(ji)有特殊拍(pai)攝需(xu)求的(de)樣(yang)品(pin)需(xu)要進(jin)行超薄(bo)(bo)切片、FIB、離子(zi)減薄(bo)(bo)等(deng)方式(shi)制備成可以拍(pai)攝的(de)樣(yang)品(pin)。
2、進樣
將制備好的(de)樣品(pin)置于(yu)樣品(pin)桿頭部的(de)載樣臺上(shang),用(yong)壓(ya)片壓(ya)緊并(bing)旋(xuan)緊固定(ding)(ding)螺絲。檢查并(bing)清(qing)理樣品(pin)桿前段肉眼可見雜質和灰塵(chen),然后將樣品(pin)桿插(cha)入設備,根據(ju)設備參數設定(ding)(ding)進(jin)行手動(dong)或自(zi)動(dong)進(jin)樣。
3、形貌拍攝
拍(pai)攝前首先(xian)調節(jie)電子束、光闌、焦距、像散(san)等參(can)數(shu),并(bing)調節(jie)至合適的(de)亮度。然后(hou)在Low MAG模式(shi)下找(zhao)到載(zai)網(wang)上有(you)樣(yang)品的(de)區(qu)域,之(zhi)后(hou)切換(huan)到MAG模式(shi)找(zhao)到樣(yang)品具(ju)體位(wei)置進行形貌(mao)拍(pai)攝。
4、選區衍射
先找到特定(ding)的(de)位置,選擇合(he)適大(da)小的(de)光闌,并(bing)根據(ju)衍(yan)射花樣調節相機(ji)參數。拍攝非晶(jing)或多(duo)晶(jing)衍(yan)射時(shi)應(ying)插入擋(dang)針遮擋(dang)透(tou)射班(ban),拍攝單晶(jing)衍(yan)射時(shi)可以(yi)適當傾轉樣品至合(he)適的(de)帶軸。
5、STEM模式成(cheng)像
先在(zai)TEM模式下找到特定位置,之后將拍(pai)(pai)攝模式切(qie)換至STEM模式,調節(jie)電子束、光(guang)闌、焦距(ju)、像散等參數,并調節(jie)至合適的(de)亮(liang)度進行拍(pai)(pai)攝。
6、能譜分析
先在(zai)TEM模(mo)式下找到特定位置,之后將拍攝模(mo)式切(qie)換至(zhi)STEM模(mo)式,插(cha)入能(neng)譜探測器并(bing)在(zai)能(neng)譜軟件上設置掃描的元素及方式等參數(shu)后進(jin)行能(neng)譜分(fen)析。
注意事項
注意:首次下單建議先聯系指南針工作人員,溝通拍攝要求后再下單
1,粉體、液體、可測(ce)試,薄(bo)膜或(huo)塊狀樣(yang)品不(bu)能(neng)直接拍攝,需另行(xing)制樣(yang)(如離子減薄(bo)、包(bao)埋切片(pian)、FIB等);
2,樣品的厚度不超過(guo)100nm,如果顆粒稍大一點,可(ke)適當研磨至100nm以下(可(ke)先拍SEM判定顆粒大小);
3,一般制樣(yang)選(xuan)(xuan)微柵銅(tong)網(wang)即可(ke)(ke),如果顆粒直徑小于10nm用超薄碳膜制樣(yang);樣(yang)品含Cu,需要拍(pai)EDS能譜(pu)和mapping可(ke)(ke)選(xuan)(xuan)鎳(nie)網(wang)或者(zhe)鉬網(wang)等;
4,強磁樣品(pin)要求顆粒大(da)小(xiao)不(bu)(bu)超過200nm,且不(bu)(bu)接受(shou)自己制樣;強磁樣品(pin)拍攝時會出現不(bu)(bu)同程(cheng)度的抖動(dong),會影響拍攝效果以(yi)及(ji)周(zhou)期;因磁性抖動(dong)導致的效果不(bu)(bu)佳,不(bu)(bu)安(an)排(pai)復(fu)測;
5,請務必仔細檢查您的樣品,若發現以弱磁強磁充當非磁或者以強磁充當弱磁非磁,我們將可能無法安排您的實驗,不承擔以此造成的時間和樣品損失;且須賠償原訂單金額的兩倍費用!!若造成設備損壞,維修費用須由您全部承擔;
6,若需要負染制樣,請(qing)聯系工(gong)作人員。
7,若樣品需要特殊條件保存,請下單前聯系工作(zuo)人(ren)員(yuan)確(que)認。
結果展(zhan)示
形貌


點掃

線掃

面掃



| Element | Kev | Mass(%) | Sigma | Atom% | K |
| C | 0.277 | 64.82 | 0.17 | 75.37 | 26.2426 |
| O | 0.525 | 18.98 | 0.09 | 16.57 | 26.9317 |
| Si | 1.739 | 16.20 | 0.11 | 8.06 | 46.8256 |
| total | 100.00 | 100.00 |
衍射
